Главная
» Научные проекты » Туннельный транспорт и оптические свойства квазинульмерных и квазидвумерных структур в электрическом поле
Туннельный транспорт и оптические свойства квазинульмерных и квазидвумерных структур в электрическом поле
Госзадание № З.6321.2017/БЧ
Руководитель проекта - Кревчик В.Д., декан факультета ФПИТЭ Политехнического института, директор научно-исследовательского центра «Оптика туннельно-связанных наноструктур и наноинженерия поверхности» при НИИФиПИ ПГУ.
Коллектив исполнителей: Семенов М.Б., Артамонов Д.В., Зайцев Р.В., Кревчик П.В., Мойко И.М., Сапунов Е.В., Данилова Е.А., Апакин Д.А., Денисова О.М.
Цель проекта - исследование особенностей оптических свойств квазинульмерных полупроводниковых структур, обусловленных примесными резонансными состояниями и диссипативным туннелированием во внешнем электрическом поле, а также туннельного транспорта в квантовых точках из коллоидного золота и в планарных квазидвумерных структурах, представляющих собой тонкую диэлектрическую пленку с синтезированными в ней Au-КТ.
Задачи проекта:
- В рамках науки о квантовом туннелировании с диссипацией в одноинстантонном приближении рассчитать вероятность 1D и 2D – туннелирования электрона в системе «игла кантилевера совмещенного атомного силового и сканирующего туннельного микроскопа – квантовая точка (квантовая молекула)» в различных режимах (осциллирующем, неосциллирующем, смешанном).
- В дипольном приближении рассчитать вероятность фотолюминесценции D2(-)- центра в квантовой точке во внешнем электрическом поле в условиях диссипативного туннелирования.
- Теоретически проанализировать характер спектров межзонного оптического поглощения в туннельно – связанных квантовых точках, а также зависимость вероятности межзонного оптического перехода от величины внешнего электрического поля при фиксированной частоте фотона.
- Теоретически исследовать туннельный транспорт в квазидвумерных структурах из коллоидного золота. Провести качественное сравнение полученных теоретических результатов с имеющимся экспериментом.
- Развить метод контролируемого роста квантовых точек из коллоидного золота для целей создания устройств наноэлектроники с управляемыми характеристиками и наномедицины.
Стадия разработки
Развитие метода контролируемого роста квантовых точек из коллоидного золота с целью создания устройств наноэлектроники с управляемыми характеристиками и наномедицины (патент № 2533533 «Способ контролируемого роста квантовых точек из коллоидного золота», авторы: Кревчик В.Д., Семёнов М.Б., Артёмов И.И., Горшков О.Н., Филатов Д.О., Зайцев Р.В., Кревчик П.В., Арынгазин Аскар Канапьевич (Казахстан), Ямамото Кенджи (Япония))
Область применения.
Развитие метода контролируемого роста квантовых точек из коллоидного золота с целью создания устройств наноэлектроники с управляемыми характеристиками и наномедицины (патент № 2533533 «Способ контролируемого роста квантовых точек из коллоидного золота», авторы: Кревчик В.Д., Семёнов М.Б., Артёмов И.И., Горшков О.Н., Филатов Д.О., Зайцев Р.В., Кревчик П.В., Арынгазин Аскар Канапьевич (Казахстан), Ямамото Кенджи (Япония))
Область применения.
Разработка устройств наноэлектроники с управляемыми оптическими и транспортными свойствами на основе туннельных эффектов: туннельные диоды, фотоэлектрические преобразователи, химические и биосенсоры, лазеры на примесных переходах, фотоприемники ИК-диапазона с управляемыми характеристиками.
Дата создания: 29.06.2018 13:18
Дата обновления: 04.07.2018 14:46
Дата обновления: 04.07.2018 14:46